Power Integrations推出InnoSwitch5离线反激式开关IC

零电压开关(ZVS)反激式拓扑结构加上先进的SR FET控制技术，可实现95%的效率、缩小电源尺寸并减少元件数目

美国加利福尼亚州圣何塞--(美国商业资讯)--深耕于高压集成电路高能效功率变换领域的知名公司Power Integra...

零电压开关(ZVS)反激式拓扑结构加上先进的SR FET控制技术，可实现95%的效率、缩小电源尺寸并减少元件数目

美国加利福尼亚州圣何塞--(美国商业资讯)--深耕于高压集成电路高能效功率变换领域的知名公司Power Integrations（纳斯达克股票代号：POWI）今日宣布推出InnoSwitch™5-Pro系列高效率、可数字控制的反激式开关IC。这款单芯片开关IC采用创新的次级侧控制方式，无需额外使用高成本的专用高压开关即可实现零电压开关(ZVS)，效率超过95%。这款新IC内部集成750V或900V PowiGaN™初级开关、初级侧控制器、FluxLink™隔离反馈功能和具有I2C接口的次级控制器，可优化紧凑型、高效率单口或多口USB PD适配器的设计和制造。其应用领域包括笔记本电脑、高端手机和其他便携式消费电子产品，包括要求支持新的USB PD EPR（扩展功率范围）协议的设计。

本新闻稿包含多媒体。此处查看新闻稿全文： https://www.businesswire.com/news/home/20240130720681/zh-CN/

Power Integrations高级产品营销经理Adnaan Lokhandwala表示：“ZVS与GaN（氮化镓）相结合，能为电源注入神奇魔力。开关损耗几乎为零，并且我们可以利用GaN的低导通损耗来实现超紧密的适配器布局，其元件数量远少于非对称半桥(AHB)电路或有源钳位方案。例如，我们曾展示过一款设计出为140W/28V的USB PD适配器，它仅使用了106个元件，体积只有4.2立方英寸（约68.8立方厘米）。InnoSwitch5-Pro IC采用的反激式拓扑相对于AHB从电路上更加容易实现，并且在通用输入电压下无论是否使用PFC级均可正常工作。”

InnoSwitch5-Pro反激式开关IC的次级侧具有无损耗输入电压检测功能，可进行自适应的DCM/CCM和ZVS控制，从而在整个输入电压和负载范围内提高效率并简化设计。该IC还具有产品下线后输出公差的补偿功能，可实现优于2%的高精度输出恒流(CC)控制，以支持UFCS协议。整体系统效率极高，可超过95%，使设计人员能够省去热管理所需的散热片、导热片和灌封材料，从而进一步减小尺寸，降低元件成本和制造复杂性。

InnoSwitch5-Pro系列反激式开关IC的主要市场包括有高功率密度要求且需满足USB PD 3.1扩展功率范围(EPR)、UFCS和其它多种充电协议的适配器、笔记本电脑适配器以及非原装单口和多口输出的充电器和适配器。

供货及相关资源

InnoSwitch5-Pro器件基于10,000片的订货量单价为每片2.40美元。如需更多信息，请联系Power Integrations销售代表或访问power.com。

关于Power Integrations

Power Integrations, Inc.是一家专注于半导体领域高压功率变换的技术创新型公司。该公司的产品是清洁能源生态系统内的关键组成部分，可实现新能源发电以及毫瓦级至兆瓦级应用中电能的有效传输和使用。有关详细信息，请访问网站www.power.com。

Power Integrations、Power Integrations徽标、InnoSwitch和PowiGaN是Power Integrations, Inc.的商标或注册商标。所有其他商标均为其各自所有者的财产。